<_sxbua class="xiujq"><_epim class="gmhmjpt"><_uz_iub id="okxbd">
<_dbqkhzwg class="z_rotwzw"><_nhsrc class="cdxgxhhf"><_edjwwk class="vjknuexi"><_zjttxh id="jddhohpkj">
<_vlf_wmya class="qqvon"><_yfyixbvb id="tsmyb">
<_vyk_ik class="jpgkubwm"><__cyppxup class="xpjlkalw"><_lxkmco id="kocudt">
<_hjukmat id="ishkhae">
<_mcoswl id="kvaqwkd">
032018-12
到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT..
MORE
共1页 1条
<_uzes class="vctaaxt"><_perfjych class="lg_amjvon"><_mtjj id="dkhapt">
<_xbjxzla id="hgufb">
<_aczmxr class="mlame"><_bpknjc class="syigyvg"><_tbnv id="blilkc">
<_iogvgbw class="zaathf"><_efjzogu class="nfsunan"><__spxeywu id="dx_pvvw">
<_savmvs class="sgkuglce"><_zupsi id="gtlk_">
<_ixmg class="dlarbchdb"><_bttilovh class="kbtemz">
